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mos管驱动电压最大是多少?

MOS管一般不需要电流,只要一个GS电压高于一定的峰值就够了,在MOS管的结构中,可以了解到在GS和GD间存在电容,而驱动就是对电容的放电。而驱动电压最大值是多少,大概在什么范围内?


过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可bai以理解为:du超过驱动门限(Vth)的剩余电压大小。

1)只有在你的过驱动电压“dao大于零”的情况下,沟道才会形成,MOS管才会工作。也就是说,能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。

2)沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说,能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流。

3)如果能够更加深入理解的话,可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs,也适用于指代Vgd。

Vod1=Vgs-Vth;

Vod2=Vds-Vth;

如果两种Vod都大于零,说明晶体管沟道全开,也就是处于线性区。只有一种Vod大于零,说明晶体管沟道半开(在DS任意一端没打开有夹断),也就是处于饱和区。MOS管驱动电压阈值电压受衬偏bai效应的影响,即衬底偏置电位,du零点五微米工艺zhi水平下一阶mos spice模型的标准dao阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8,过驱动电压为Vgs减Vth。

MOS管,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态,器件的栅电压定义为阈值电压,MOSFET的重要参数之一 。

MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压,就没有沟道。 

在运行过程中,要了解MOS管驱动电压的最大值,这样就能从中推断出相应的原理,尤其在数据上更能够体现的明显。

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