•产品描述:U3117S(D)/U3118S(D)是一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。U3117S(D)/U3118S(D)的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。U3117S(D)/U3118S(D)其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达300V。

 •主要特点: 集成自举二极管^{(1) ；}高端悬浮自举设计；最高工作电压可达+300V ；负瞬态电压承受能力；支持栅极驱动电压从9到20V ；VCC/VBS欠压保护(UVLO) ；兼容3.3V,5V输入逻辑 ；内置直通防止和死区时间；芯片传输延时特性

•典型应用:家用电器;工业应用和驱动器;电机驱动;直流交流转换器, 直流电机和交流电机;感应加热;暖通空调

•典型应用电路: 

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