•产品描述:

U21867是一款高压半桥栅极驱动芯片，设计用于高压、高速功率MOSFET和IGBT。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。U21867的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内部集成了高、低侧欠压锁定电路，输出具有大电流脉冲能力，输出电流能力可达4A。U21867其浮动通道可用于驱动高压侧N 沟道功率MOSFET和IGBT，浮地通道工作电压最高可达600V。

•主要特点:

●高端悬浮自举设计

●最高工作电压可达+600V

●高负瞬态电压承受能力

●支持栅极驱动电压从8到20V

●VCC/VBS欠压保护(UVLO)

●兼容3.3V,5V输入逻辑

●芯片传输延时特性

•典型应用:

•典型应用电路: 

规格书下载点击此处