•产品描述: 

U1H1L3N2D 是一款工作电压达到500V的高性能半桥IPM(Intelligent Power Module)，即智能功率模 块。是一种高度集成的半导体器件，内部集成半桥驱 动芯片和高速功率 MOSFET，具备体积小，性能高，散热好等优点。 U1H1L3N2D的高度集成性和丰富的功能使其成为各种工业和商业应用中的理想选择，能够提高系统性能和可靠性。

•主要特点:

内置自举二极管 ；悬浮绝对电压: 500V；内置 500V/3A MOSFET ；负瞬态电压高 ； 栅极驱动电压范围 10V~20Vl；输入逻辑兼容3.3V、5V l 集成VCC和VBS欠压保护； 防交叉传导逻辑 ； 两双通道的匹配传播延迟。

•典型应用:

● 高速风筒 ●风扇 ● 电动工具

•简易原理图 

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